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Boolean Logic Gates From A Single Memristor Via Low-Level Sequential Logic

机译:布尔逻辑门来自单个忆阻器通过低级顺序   逻辑

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摘要

By using the memristor's memory to both store a bit and perform an operationwith a second input bit, simple Boolean logic gates have been built with asingle memristor. The operation makes use of the interaction of current spikes(occasionally called current transients) found in both memristors and otherdevices. The sequential time-based logic methodology allows two logical inputbits to be used on a one-port by sending the bits separated in time. Theresulting logic gate is faster than one relying on memristor's state switching,low power and requires only one memristor. We experimentally demonstrateworking OR and XOR gates made with a single flexible Titanium dioxide sol-gelmemristor.
机译:通过使用忆阻器的存储器来存储一个位并使用第二个输入位执行操作,已经使用单个忆阻器构建了简单的布尔逻辑门。该操作利用了忆阻器和其他器件中都存在的电流尖峰(有时称为电流瞬变)的相互作用。基于时间的顺序逻辑方法通过发送时间上分开的位,允许在一个端口上使用两个逻辑输入位。结果逻辑门比依靠忆阻器状态切换的逻辑门快,功耗低,只需要一个忆阻器。我们通过实验演示了使用单个柔性二氧化钛溶胶-凝胶忆阻器制成的“或”门和“或”门。

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